西藏***蚀刻厂家值得信赖「诺源铜艺」

　金属工件经过加工、运输及库存等环节后，表面沾附有不同的加工油污或防锈油脂等，必须要彻底清除干净，否则在涂刷耐蚀油漆时，油漆与不蚀刻的金属部分附着力不好，漆膜浸泡在蚀刻溶液中会鼓泡或，使不该蚀刻的表面受到腐蚀***。另外，需要蚀刻的部位如果表面的油污洗不干净，油渍会影响蚀刻溶液与金属的接触，使蚀刻的部分溶解不均匀，甚至有的地方溶解不了而影响蚀刻的效果和质量。除油的方法可以根据表面油污的情况选择除油的方法，具体可参考第二章除油部分的内容。

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直接电解法能做到含铜碱性蚀刻液废水处理吗？

在电子线路板（PCB）蚀刻过程中，蚀刻液中的铜含量逐渐增加。蚀刻液要达到佳的蚀刻效果，每公升蚀刻液需含120至180克铜及相应分量的蚀刻盐（氯化铵）及氨水。要持续蚀刻液中上述各种成份的浓度佳水平，蚀刻用过后的溶液需不断由添加的药剂所取缔。显然，这样含铜、含氯化铵、氨水等******物质的废水不能直接进行排放，也不能直接回生产线循环使用。那么这种含铜、氯化铵、氨水等物质的碱性蚀刻液的废水怎么进行处理呢？直接电解法可以解决此类废水处理。本废水处理系统采用直接电解法，可以在回收桶的同时回收蚀刻剂，将大量原本需要排放的“用水蚀刻液”再生还原成为可再次使用的再生蚀刻液。只需要极量的的补充剂及氨水，补偿因运作时被带走而失去的部份。

从而取代蚀刻废液，该工艺不但可以减少蚀刻废液回收后的污水排放量，减少环境污染，同时还可以降低PCB厂家的生产成本。通过母液储罐储存，之间通过泵抽至电解槽直接电解，电解出高纯度的金属铜片，而经电解的蚀刻液再生还原成为可以再生蚀刻液，只需添加适量的氨水、蚀刻盐和补充剂，补偿因运作时失去的部分，，重新投入蚀刻过程中，实现循环利用。直接电解法去除含铜碱性蚀刻液废水处理的优点1、基本为零排放：做到清洁生产、节能减排，降低工厂环保压力；2、减少了药消耗，做到降低生产成本；3、生产出值的电解铜，为企业创造经济效益；4、减少了生产换缸时间，提高了工程生产效率。直接电解法去除含铜碱性蚀刻液废水处理的系统组成1、储罐：收集产线排放蚀刻液及本系统处理后的再生液；2、铜提取系统装置：通过电解原理提取高纯度铜；3、再生调整装置：系统将已降低铜含量的蚀刻再生液通过添加药剂，使各项指标值达到生产所需要求待生产所用。

在印刷金属网格透明导电膜性能研究取得进展

透明导电膜在高透光下同时具有导电性，是光电领域中不可或缺的重要工业基础材料。随着光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、低成本方向发展，对高性的柔性及可拉伸透明导电膜的需求增长迅速。当前广泛使用的透明导电材料主要为ITO膜或玻璃，但因方阻较高、脆性结构限制了其在柔性光电器件上的使用；而新发展的基于导电聚合物、碳材料和金属纳米材料的柔性透明导电膜，普遍存在导电性和透过率相互制约的问题，在85%以上的透过率下方阻通常在数十欧每方块以上。基于铜箔黄光制程蚀刻的金属网格透明导电膜具有高导高透的优点受到了行业广泛关注，但工艺复杂，酸蚀刻工艺与铜离子造成的污染及其高成本也不容忽视。

中国学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员崔铮的印刷电子研究团队自主研发了印刷增材制造的嵌入式银网格透明导电膜，透过率和导电性可以***调节，在85%以上透过率下方阻低于10Ω/□，已成功应用在触摸屏上并实现了产业化，曾荣获2014年中国金奖。为进一步推广印刷金属网格透明导电膜在透明导磁屏蔽、电加热膜、透明5G天线等更广领域的应用，如何进一步在高透过率下大幅度提升导电膜的导电性能成为团队的重要研究目标。近日，苏州纳米所印刷电子中心苏文明团队基于混合式印刷增材制造技术，优化压印模具结构参数，实现了2：1深宽比和4μm线宽的凹槽结构，再结合刮填薄层纳米银油墨的种子层，用电筹沉铜技术在凹槽中填满致密的铜。由于电沉积过程金属铜完全限制在凹槽中只能单向生长，避免了扩线，从而获得高深宽比的铜网格，因而在不影响光透过率的情况下增加了金属网格的厚度，同时电镀的网格具有铜本征的高电导，在86%的高透光率下，方块电阻低至0.03Ω/□，FOM值超过80000，达际领水平（FOM是透明导电膜的综合质量因素，指光透过与方阻的比值，如ITO的FOM<300）。

近日，苏州纳米所印刷电子中心苏文明团队基于混合式印刷增材制造技术，优化压印模具结构参数，实现了2：1深宽比和4μm线宽的凹槽结构，再结合刮填薄层纳米银油墨的种子层，用电筹沉铜技术在凹槽中填满致密的铜。由于电沉积过程金属铜完全限制在凹槽中只能单向生长，避免了扩线，从而获得高深宽比的铜网格，因而在不影响光透过率的情况下增加了金属网格的厚度，同时电镀的网格具有铜本征的高电导率，终在86%的高透光率下，方块电阻低至0.03Ω/□，FOM值超过80000，达到国际先水平（FOM是透明导电膜的综合质量因素，指光透过与方阻的比值，如ITO的FOM<300）。该研究成果以博士研究生陈小连为文章第作者，苏文明与崔铮为共同通讯作者。该工作得到科技部***研发计划、中科院纳米先导专项等的支持。